0 0 0
  8. NTHL075N065SC1

Транзистори з каналом N THT NTHL075N065SC1

 
NTHL075N065SC1
 
ONSEMI
Артикул: 1000139
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 26А; Idm: 120А; 74Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
674.07 грн
2+
502.36 грн
3+
501.56 грн
6+
474.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
26А(1441513)
Опір в стані провідності
68мОм(1609782)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
74Вт(1708592)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
61нКл(1479027)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...18В(2001595)
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT NTHL075N065SC1
ONSEMI
Артикул: 1000139
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 26А; Idm: 120А; 74Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
674.07 грн
2+
502.36 грн
3+
501.56 грн
6+
474.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
26А
Опір в стані провідності
68мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
74Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
61нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...18В
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g