0 0 0
  7. NTJD4105CT1G

Транзистори багатоканальні NTJD4105CT1G

 
NTJD4105CT1G
 
ONSEMI
Артикул: 896286
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-8В; 0,27Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
18.18 грн
25+
12.60 грн
100+
10.21 грн
113+
8.66 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
20/-8В(1636458)
Струм стока
0,63/-0,755А(1702226)
Опір в стані провідності
445/900мОм(1636461)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,27Вт(1741779)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3/4нКл(1636462)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g
 
Транзистори багатоканальні NTJD4105CT1G
ONSEMI
Артикул: 896286
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-8В; 0,27Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
18.18 грн
25+
12.60 грн
100+
10.21 грн
113+
8.66 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
20/-8В
Струм стока
0,63/-0,755А
Опір в стані провідності
445/900мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,27Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
3/4нКл
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g