Транзистори багатоканальні NTJD4105CT2G

 
NTJD4105CT2G
 
Артикул: 389899
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-8В; 0,14Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
16.21 грн
25+
11.84 грн
100+
10.49 грн
110+
9.10 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
20/-8В(1636458)
Струм стока
0,46/-0,558А(1805609)
Опір в стані провідності
375/300мОм(1805261)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,14Вт(1741772)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні NTJD4105CT2G
ONSEMI
Артикул: 389899
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-8В; 0,14Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
16.21 грн
25+
11.84 грн
100+
10.49 грн
110+
9.10 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
20/-8В
Струм стока
0,46/-0,558А
Опір в стані провідності
375/300мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,14Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g