0 0 0
  7. NTJD4401NT1G

Транзисторы многоканальные NTJD4401NT1G

 
NTJD4401NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 000409
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
22.04 грн
25+
11.81 грн
100+
9.60 грн
117+
8.50 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 2400 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,46А(1702228)
Опір в стані провідності
445мОм(1636476)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,27Вт(1741779)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,3нКл(1512595)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы многоканальные NTJD4401NT1G
ONSEMI
Артикул: 000409
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
22.04 грн
25+
11.81 грн
100+
9.60 грн
117+
8.50 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 2400 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,46А
Опір в стані провідності
445мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,27Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,3нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g