0 0 0
  7. NTJD5121NT1G

Транзистори багатоканальні NTJD5121NT1G

 
NTJD5121NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 000410
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,295А; 0,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
10.82 грн
50+
5.60 грн
235+
4.27 грн
635+
4.04 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Кількість: 1175 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,295А(1759233)
Опір в стані провідності
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,25Вт(1701903)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,9нКл(1759234)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g
 
Транзистори багатоканальні NTJD5121NT1G
ONSEMI
Артикул: 000410
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,295А; 0,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
10.82 грн
50+
5.60 грн
235+
4.27 грн
635+
4.04 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Кількість: 1175 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,295А
Опір в стані провідності
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,9нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g