0 0 0
  8. NTR1P02LT1G

Транзистори з каналом P SMD NTR1P02LT1G

 
NTR1P02LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 140878
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
16.84 грн
25+
7.86 грн
100+
6.36 грн
180+
5.55 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 28 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-1,3А(1636485)
Опір в стані провідності
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
3,1нКл(1479121)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g
 
Транзистори з каналом P SMD NTR1P02LT1G
ONSEMI
Артикул: 140878
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
16.84 грн
25+
7.86 грн
100+
6.36 грн
180+
5.55 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 28 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-1,3А
Опір в стані провідності
0,22Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
3,1нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g