Транзистори багатоканальні NTZD3155CT1G

 
NTZD3155CT1G
 
Артикул: 000301
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26.32 грн
10+
15.71 грн
100+
10.93 грн
115+
8.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5677 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563F(1926774)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
0,39/-0,31А(1702238)
Опір в стані провідності
400/500мОм(1605756)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,25Вт(1701903)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,5/1,7нКл(1636464)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g
 
Транзистори багатоканальні NTZD3155CT1G
ONSEMI
Артикул: 000301
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26.32 грн
10+
15.71 грн
100+
10.93 грн
115+
8.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5677 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563F
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
0,39/-0,31А
Опір в стані провідності
400/500мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,5/1,7нКл
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g