0 0 0
  7. NTZD5110NT1G

Транзистори багатоканальні NTZD5110NT1G

 
NTZD5110NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 390046
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.71 грн
25+
7.90 грн
100+
7.04 грн
160+
6.28 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563F(1926774)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,225А(1805619)
Опір в стані провідності
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,28Вт(1742034)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні NTZD5110NT1G
ONSEMI
Артикул: 390046
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.71 грн
25+
7.90 грн
100+
7.04 грн
160+
6.28 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563F
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,225А
Опір в стані провідності
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,28Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g