0 0 0
  7. NUP1105LT1G

Запобіжні діоди - складки NUP1105LT1G

 
NUP1105LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 995144
Діод: TVS збірка; 25,7÷28,4В; 8А; 350Вт; подвійний,спільний катод
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
24.76 грн
10+
18.05 грн
25+
14.53 грн
100+
11.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Зворотна напруга макс.
24В(1440511)
Структура напівпровідника
подвійний(1600771) спільний катод(1497057)
Струм в імпульсі макс.
8А(1632685)
Напруга пробою
25,7...28,4В(1930557)
Струм витоку
0,1мкА(1615249)
Використання
CAN(1917273)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Тип діода
transil збірка(1501444)
Властивості напівпровідникових елементів
захисна ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
0,35кВт(1918269)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Запобіжні діоди - складки NUP1105LT1G
ONSEMI
Артикул: 995144
Діод: TVS збірка; 25,7÷28,4В; 8А; 350Вт; подвійний,спільний катод
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
24.76 грн
10+
18.05 грн
25+
14.53 грн
100+
11.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Зворотна напруга макс.
24В
Структура напівпровідника
подвійний
Структура напівпровідника
спільний катод
Струм в імпульсі макс.
8А
Напруга пробою
25,7...28,4В
Струм витоку
0,1мкА
Використання
CAN
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Тип діода
transil збірка
Властивості напівпровідникових елементів
захисна ESD
Peak pulse power dissipation
0,35кВт
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g