Транзистори з каналом P SMD NVMFS5113PLT1G

 
NVMFS5113PLT1G
 
Артикул: 390161
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
177.18 грн
5+
160.49 грн
9+
123.95 грн
23+
117.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5x6(1775115)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-45А(1492540)
Опір в стані провідності
14мОм(1441294)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
75Вт(1701926)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD NVMFS5113PLT1G
ONSEMI
Артикул: 390161
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
177.18 грн
5+
160.49 грн
9+
123.95 грн
23+
117.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5x6
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-45А
Опір в стані провідності
14мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
75Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g