0 0 0
  7. NXH020U90MNF2PTG

Транзисторні модулі MOSFET NXH020U90MNF2PTG

 
NXH020U90MNF2PTG
 
ONSEMI
Артикул: 770941
Модуль; діод/транзистор; 900В; 149А; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
24 027.24 грн
10+
23 102.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Корпус
PIM20(1947718)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
149A(1947715)
Опір в стані провідності
10мОм(1441308)
Потужність розсіювання
352W(1947716)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
SiC(1591568)
Напруга затвор-джерело
-8...18В(1981556)
Топологія
термістор NTC(1612513) Vienna Rectifier(1818763)
Струм стоку в імпульсі
447А(1823260)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Транзисторні модулі MOSFET NXH020U90MNF2PTG
ONSEMI
Артикул: 770941
Модуль; діод/транзистор; 900В; 149А; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
24 027.24 грн
10+
23 102.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Корпус
PIM20
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
149A
Опір в стані провідності
10мОм
Потужність розсіювання
352W
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
SiC
Напруга затвор-джерело
-8...18В
Топологія
термістор NTC
Топологія
Vienna Rectifier
Струм стоку в імпульсі
447А
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g