0 0 0
  8. RFP12N10L

Транзистори з каналом N THT RFP12N10L

 
RFP12N10L
 
ONSEMI
Артикул: 079896
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 12А; 60Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
92.96 грн
5+
73.89 грн
17+
58.00 грн
47+
54.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 41 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,023 g
 
Транзистори з каналом N THT RFP12N10L
ONSEMI
Артикул: 079896
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 12А; 60Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
92.96 грн
5+
73.89 грн
17+
58.00 грн
47+
54.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 41 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,023 g