0 0 0
  7. SZMMBZ33VALT1G

Запобіжні діоди - складки SZMMBZ33VALT1G

 
SZMMBZ33VALT1G
 
ONSEMI
Артикул: 663301
Діод: TVS збірка; 33В; 0,87А; 40Вт; подвійний,спільний анод; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
4.64 грн
100+
4.17 грн
320+
3.19 грн
870+
3.02 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Допуск
±5%(1819321)
Зворотна напруга макс.
26В(1611238)
Структура напівпровідника
подвійний(1600771) спільний анод(1440273)
Струм в імпульсі макс.
0,87А(1698195)
Напруга пробою
33В(1440413)
Струм витоку
50нА(1613685)
Використання
automotive industry(1821825)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Тип діода
transil збірка(1501444)
Властивості напівпровідникових елементів
захисна ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
40Вт(1911820)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Запобіжні діоди - складки SZMMBZ33VALT1G
ONSEMI
Артикул: 663301
Діод: TVS збірка; 33В; 0,87А; 40Вт; подвійний,спільний анод; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
4.64 грн
100+
4.17 грн
320+
3.19 грн
870+
3.02 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Допуск
±5%
Зворотна напруга макс.
26В
Структура напівпровідника
подвійний
Структура напівпровідника
спільний анод
Струм в імпульсі макс.
0,87А
Напруга пробою
33В
Струм витоку
50нА
Використання
automotive industry
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Тип діода
transil збірка
Властивості напівпровідникових елементів
захисна ESD
Peak pulse power dissipation
40Вт
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g