Транзистори з каналом N SMD BSS123_R1_00001

 
BSS123_R1_00001
 
Артикул: 855524
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 170мА; Idm: 0,68А; 500мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
15+
3.96 грн
100+
3.23 грн
415+
2.38 грн
1135+
2.25 грн
Мін. замовлення: 15
Кратність: 5
Кількість: 8700 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
0,17А(1644068)
Опір в стані провідності
10Ом(1441657)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,8нКл(1633317)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,68А(1838621)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSS123_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855524
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 170мА; Idm: 0,68А; 500мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
15+
3.96 грн
100+
3.23 грн
415+
2.38 грн
1135+
2.25 грн
Мін. замовлення: 15
Кратність: 5
Кількість: 8700 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
0,17А
Опір в стані провідності
10Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,68А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g