0 0 0
  8. PJMB210N65EC_R2_00601

Транзистори з каналом N SMD PJMB210N65EC_R2_00601

 
PJMB210N65EC_R2_00601
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855541
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 42А; 150Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
120.28 грн
10+
101.16 грн
14+
73.28 грн
38+
69.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
19А(1479258)
Опір в стані провідності
0,21Ом(1737419)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
42А(1789234)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD PJMB210N65EC_R2_00601
PanJit Semiconductor
Артикул: 855541
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 42А; 150Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
120.28 грн
10+
101.16 грн
14+
73.28 грн
38+
69.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
19А
Опір в стані провідності
0,21Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
34нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
42А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g