0 0 0
  8. PJMD360N60EC_L2_00001

Транзистори з каналом N SMD PJMD360N60EC_L2_00001

 
PJMD360N60EC_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855538
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 23А; 87,5Вт; TO252AA
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.71 грн
10+
62.29 грн
21+
49.31 грн
56+
46.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
87,5Вт(1986112)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
18,7нКл(1759123)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
23А(1741676)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PJMD360N60EC_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855538
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 23А; 87,5Вт; TO252AA
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.71 грн
10+
62.29 грн
21+
49.31 грн
56+
46.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
87,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
18,7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
23А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g