0 0 0
  8. PJMD390N65EC_L2_00001

Транзистори з каналом N SMD PJMD390N65EC_L2_00001

 
PJMD390N65EC_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855559
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO252AA
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.71 грн
10+
62.29 грн
21+
49.31 грн
56+
46.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
390мОм(1628538)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
87,5Вт(1986112)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
19нКл(1479054)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
22А(1801380)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PJMD390N65EC_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855559
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO252AA
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.71 грн
10+
62.29 грн
21+
49.31 грн
56+
46.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
390мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
87,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
19нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
22А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g