0 0 0
  8. PJMD900N60EC_L2_00001

Транзистори з каналом N SMD PJMD900N60EC_L2_00001

 
PJMD900N60EC_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855536
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; Idm: 9,7А; 47,5Вт; TO252AA
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.22 грн
5+
39.40 грн
25+
35.41 грн
34+
28.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
5А(1441380)
Опір в стані провідності
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
47,5Вт(1775138)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,8нКл(1636391)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
9,7А(1986114)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PJMD900N60EC_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855536
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; Idm: 9,7А; 47,5Вт; TO252AA
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.22 грн
5+
39.40 грн
25+
35.41 грн
34+
28.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
5А
Опір в стані провідності
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
47,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
9,7А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g