0 0 0
  8. PJMD990N65EC_L2_00001

Транзистори з каналом N SMD PJMD990N65EC_L2_00001

 
PJMD990N65EC_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855558
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 4,7А; Idm: 9,5А; 47,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
39.52 грн
25+
35.54 грн
34+
29.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
4,7А(1479142)
Опір в стані провідності
990мОм(1986116)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
47,5Вт(1775138)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9,7нКл(1479398)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
9,5А(1986115)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD PJMD990N65EC_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855558
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 4,7А; Idm: 9,5А; 47,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
39.52 грн
25+
35.54 грн
34+
29.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
4,7А
Опір в стані провідності
990мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
47,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9,7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
9,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g