0 0 0
  8. PJMF120N60EC_T0_00001

Транзистори з каналом N THT PJMF120N60EC_T0_00001

 
PJMF120N60EC_T0_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855185
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 69А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
299.51 грн
8+
131.43 грн
21+
124.26 грн
2500+
119.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
THT(1436576)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
51нКл(1610021)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
69А(1790437)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT PJMF120N60EC_T0_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855185
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 69А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
299.51 грн
8+
131.43 грн
21+
124.26 грн
2500+
119.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
THT
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
51нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
69А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g