0 0 0
  8. PJMF190N60E1_T0_00001

Транзистори з каналом N THT PJMF190N60E1_T0_00001

 
PJMF190N60E1_T0_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855188
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; Idm: 60А; 38Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
203.92 грн
9+
110.72 грн
25+
105.15 грн
1000+
101.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
THT(1436576)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
38Вт(1449556)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
40нКл(1479263)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT PJMF190N60E1_T0_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855188
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; Idm: 60А; 38Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
203.92 грн
9+
110.72 грн
25+
105.15 грн
1000+
101.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
THT
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
38Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
40нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g