0 0 0
  7. PJT138K-AU_R1_000A1

Транзистори багатоканальні PJT138K-AU_R1_000A1

 
PJT138K-AU_R1_000A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855229
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.92 грн
25+
6.58 грн
100+
5.91 грн
205+
4.89 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,36А(1702187)
Опір в стані провідності
4,5Ом(1492423)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
236мВт(1986110)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1нКл(1609788)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,2А(1709882)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні PJT138K-AU_R1_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 855229
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.92 грн
25+
6.58 грн
100+
5.91 грн
205+
4.89 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,36А
Опір в стані провідності
4,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
236мВт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g