Транзистори багатоканальні PJT7600_R1_00001

 
PJT7600_R1_00001
 
Артикул: 855224
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.16 грн
10+
23.65 грн
100+
13.50 грн
169+
5.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
1А/-700мА(1996969)
Опір в стані провідності
400/600мОм(1986097)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,35Вт(1701891)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,6/2,2нКл(1986100)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g
 
Транзистори багатоканальні PJT7600_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855224
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.16 грн
10+
23.65 грн
100+
13.50 грн
169+
5.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
1А/-700мА
Опір в стані провідності
400/600мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,6/2,2нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g