Транзистори багатоканальні PJT7603_R1_00001

 
PJT7603_R1_00001
 
Артикул: 855230
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.92 грн
25+
6.58 грн
100+
5.91 грн
205+
4.89 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
50/-60В(1996970)
Струм стока
-250/400мА(1986102)
Опір в стані провідності
2,5/6Ом(1986104)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,35Вт(1701891)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,95/1,1нКл(1993129)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні PJT7603_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855230
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.92 грн
25+
6.58 грн
100+
5.91 грн
205+
4.89 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
50/-60В
Струм стока
-250/400мА
Опір в стані провідності
2,5/6Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,95/1,1нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g