0 0 0
  8. PJW3P10A_R2_00001

Транзистори з каналом P SMD PJW3P10A_R2_00001

 
PJW3P10A_R2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854778
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
10+
22.17 грн
60+
16.45 грн
165+
15.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-2,6А(1492370)
Опір в стані провідності
0,23Ом(1503652)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
3,1Вт(1449545)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-10,4А(1986131)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,2 g
 
Транзистори з каналом P SMD PJW3P10A_R2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 854778
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
10+
22.17 грн
60+
16.45 грн
165+
15.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-2,6А
Опір в стані провідності
0,23Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
3,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
20нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-10,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,2 g