Транзистори з каналом P SMD PJW4P06A-AU_R2_000A1

 
PJW4P06A-AU_R2_000A1
 
Артикул: 854783
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
10+
17.72 грн
72+
13.90 грн
196+
13.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1575 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-4А(1492238)
Опір в стані провідності
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
3,1Вт(1449545)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-16А(1742153)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,167 g
 
Транзистори з каналом P SMD PJW4P06A-AU_R2_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 854783
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
10+
17.72 грн
72+
13.90 грн
196+
13.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1575 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-4А
Опір в стані провідності
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
3,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
10нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,167 g