0 0 0
  8. PSMB055N08NS1_T0_00601

Транзистори з каналом N SMD PSMB055N08NS1_T0_00601

 
PSMB055N08NS1_T0_00601
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855563
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
83.23 грн
3+
74.51 грн
10+
66.59 грн
17+
61.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
108А(1492245)
Опір в стані провідності
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
113,6Вт(1741879)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
65,8нКл(1986120)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
360А(1751904)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD PSMB055N08NS1_T0_00601
PanJit Semiconductor
Артикул: 855563
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
83.23 грн
3+
74.51 грн
10+
66.59 грн
17+
61.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
108А
Опір в стані провідності
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
113,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
65,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
360А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g