Модулі IGBT 2SC0108T2D0-12

 
2SC0108T2D0-12
 
Артикул: 876922
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 049.01 грн
30+
4 855.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
POWER INTEGRATIONS(86)
Монтаж
планка штирова(1759864)
Робоча температура
-40...85°C(1819326)
Напруга живлення
14,5...15,5В DC(1991232)
Частота
50кГц(1502425)
Вихідний струм
(1450037)
Вид виходу
драйвер IGBT(1444919)
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення(1706586) гальванічне відокремлення(1733890)
Тип модуля
gate driver board(1838393)
Технологія
SCALE™-2(1991242)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559) півмісток IGBT(1612529)
клас напруги
1,2кВ(1713792)
Додаткова інформація: Маса брутто: 50 g
 
Модулі IGBT 2SC0108T2D0-12
POWER INTEGRATIONS
Артикул: 876922
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 049.01 грн
30+
4 855.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
POWER INTEGRATIONS
Монтаж
планка штирова
Робоча температура
-40...85°C
Напруга живлення
14,5...15,5В DC
Частота
50кГц
Вихідний струм
Вид виходу
драйвер IGBT
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення
Тип модуля
gate driver board
Технологія
SCALE™-2
Топологія
півмісток MOSFET
Топологія
півмісток IGBT
клас напруги
1,2кВ
Додаткова інформація: Маса брутто: 50 g