Модулі IGBT 2SD315AI

 
2SD315AI
 
Артикул: 875425
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 135.47 грн
12+
6 860.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
POWER INTEGRATIONS(86)
Монтаж
планка штирова(1759864)
Робоча температура
-40...85°C(1819326)
Напруга живлення
0...16В DC(1991280)
Частота
0,1МГц(1764465)
Вихідний струм
18А(1450041)
Вид виходу
драйвер IGBT(1444919)
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення(1733890)
Тип модуля
gate driver board(1838393)
Технологія
SCALE™-1(1991243)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559) півмісток IGBT(1612529)
клас напруги
1,7кВ(1838870)
Додаткова інформація: Маса брутто: 50 g
 
Модулі IGBT 2SD315AI
POWER INTEGRATIONS
Артикул: 875425
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 135.47 грн
12+
6 860.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
POWER INTEGRATIONS
Монтаж
планка штирова
Робоча температура
-40...85°C
Напруга живлення
0...16В DC
Частота
0,1МГц
Вихідний струм
18А
Вид виходу
драйвер IGBT
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення
Тип модуля
gate driver board
Технологія
SCALE™-1
Топологія
півмісток MOSFET
Топологія
півмісток IGBT
клас напруги
1,7кВ
Додаткова інформація: Маса брутто: 50 g