0 0 0
  8. UF3C065030K4S

Транзисторы с каналом N THT UF3C065030K4S

 
UF3C065030K4S
 
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080294
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 62А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 225.50 грн
5+
4 096.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
UnitedSiC(1363)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
62А(1479409)
Опір в стані провідності
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Потужність розсіювання
441Вт(1741905)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711) виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
43нКл(1479408)
Технологія
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодний(1670264)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
230А(1789206)
Додаткова інформація: Маса брутто: 7 g
 
Транзисторы с каналом N THT UF3C065030K4S
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080294
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 62А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 225.50 грн
5+
4 096.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
UnitedSiC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
62А
Опір в стані провідності
27мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Потужність розсіювання
441Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
43нКл
Технологія
SiC
Вид транзистора
каскодний
Струм стоку в імпульсі
230А
Додаткова інформація: Маса брутто: 7 g