Транзистори з каналом N SMD UJ3C065030B3

 
UJ3C065030B3
 
Артикул: 077656
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 47А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 925.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 15 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
UnitedSiC(1363)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
47А(1479369)
Опір в стані провідності
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
51нКл(1610021)
Технологія
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодний(1670264)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
230А(1789206)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,66 g
 
Транзистори з каналом N SMD UJ3C065030B3
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 077656
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 47А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 925.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 15 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
UnitedSiC
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
47А
Опір в стані провідності
27мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
51нКл
Технологія
SiC
Вид транзистора
каскодний
Струм стоку в імпульсі
230А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,66 g