0 0 0
  8. UJ3C065030K3S

Транзисторы с каналом N THT UJ3C065030K3S

 
UJ3C065030K3S
 
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080297
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 62А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 446.05 грн
2+
2 313.05 грн
30+
2 235.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 22 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
UnitedSiC(1363)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
62А(1479409)
Опір в стані провідності
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Потужність розсіювання
441Вт(1741905)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
51нКл(1610021)
Технологія
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодний(1670264)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
230А(1789206)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,16 g
 
Транзисторы с каналом N THT UJ3C065030K3S
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080297
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 62А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 446.05 грн
2+
2 313.05 грн
30+
2 235.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 22 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
UnitedSiC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
62А
Опір в стані провідності
30мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Потужність розсіювання
441Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
51нКл
Технологія
SiC
Вид транзистора
каскодний
Струм стоку в імпульсі
230А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,16 g