0 0 0
  8. UJ3C065080T3S

Транзистори з каналом N THT UJ3C065080T3S

 
UJ3C065080T3S
 
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080300
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 23А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
971.27 грн
2+
876.11 грн
4+
828.13 грн
50+
801.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 19 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
UnitedSiC(1363)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
51нКл(1610021)
Технологія
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодний(1670264)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
65А(1759382)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,052 g
 
Транзистори з каналом N THT UJ3C065080T3S
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080300
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 23А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
971.27 грн
2+
876.11 грн
4+
828.13 грн
50+
801.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 19 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
UnitedSiC
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
51нКл
Технологія
SiC
Вид транзистора
каскодний
Струм стоку в імпульсі
65А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,052 g