0 0 0
  8. UJ3C120040K3S

Транзистори з каналом N THT UJ3C120040K3S

 
UJ3C120040K3S
 
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080301
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 1,2кВ; 47А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 368.25 грн
2+
2 238.67 грн
30+
2 156.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
UnitedSiC(1363)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
47А(1479369)
Опір в стані провідності
35мОм(1441501)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Потужність розсіювання
429Вт(1742143)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
51нКл(1610021)
Технологія
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодний(1670264)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
175А(1790440)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,2 g
 
Транзистори з каналом N THT UJ3C120040K3S
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080301
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 1,2кВ; 47А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 368.25 грн
2+
2 238.67 грн
30+
2 156.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
UnitedSiC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
47А
Опір в стані провідності
35мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Потужність розсіювання
429Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
51нКл
Технологія
SiC
Вид транзистора
каскодний
Струм стоку в імпульсі
175А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,2 g