0 0 0
  8. 2SK3065T100

Транзистори з каналом N SMD 2SK3065T100

 
2SK3065T100
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600704
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 0,5Вт; SC62
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
52.07 грн
10+
39.52 грн
45+
22.57 грн
123+
21.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC62(1932170)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
2А(1441386)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
8А(1709892)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD 2SK3065T100
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600704
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 0,5Вт; SC62
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
52.07 грн
10+
39.52 грн
45+
22.57 грн
123+
21.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC62
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
2А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g