0 0 0
  7. EM6K33T2R

Транзистори багатоканальні EM6K33T2R

 
EM6K33T2R
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740003
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.07 грн
25+
12.27 грн
100+
10.92 грн
105+
9.56 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,2А(1644064)
Опір в стані провідності
7,2Ом(1609658)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,15Вт(1701904)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні EM6K33T2R
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740003
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.07 грн
25+
12.27 грн
100+
10.92 грн
105+
9.56 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,2А
Опір в стані провідності
7,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g