0 0 0
  8. QS5U13TR

Транзистори з каналом N SMD QS5U13TR

 
QS5U13TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 481357
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; польовий; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.27 грн
25+
12.72 грн
100+
11.47 грн
112+
8.97 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT25(1628277)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
2А(1441386)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky(1667410)
Потужність розсіювання
0,9Вт(1742026)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3,9нКл(1642906)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
8А(1709892)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD QS5U13TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 481357
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; польовий; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.27 грн
25+
12.72 грн
100+
11.47 грн
112+
8.97 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT25
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
2А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Потужність розсіювання
0,9Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
3,9нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g