0 0 0
  8. QS5U21TR

Транзистори з каналом P SMD QS5U21TR

 
QS5U21TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759178
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -6А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.25 грн
25+
17.32 грн
75+
13.59 грн
204+
12.87 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT25(1628277)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-1,5А(1492280)
Опір в стані провідності
0,34Ом(1459324)
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky(1667411)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,2нКл(1479179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-6А(1810531)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD QS5U21TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759178
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -6А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.25 грн
25+
17.32 грн
75+
13.59 грн
204+
12.87 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT25
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-1,5А
Опір в стані провідності
0,34Ом
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
4,2нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g