Транзистори з каналом N SMD QS5U34TR

 
QS5U34TR
 
Артикул: 733285
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 3А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.25 грн
25+
15.57 грн
93+
10.88 грн
255+
10.33 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT25(1628277)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
1,5А(1492350)
Опір в стані провідності
0,31Ом(1743026)
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky(1667410)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,8нКл(1633317)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
(1709877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD QS5U34TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733285
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 3А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.25 грн
25+
15.57 грн
93+
10.88 грн
255+
10.33 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT25
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
1,5А
Опір в стані провідності
0,31Ом
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g