0 0 0
  7. QS6J11TR

Транзистори багатоканальні QS6J11TR

 
QS6J11TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739983
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.75 грн
25+
17.68 грн
72+
13.94 грн
197+
13.22 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-2А(1492324)
Опір в стані провідності
0,4Ом(1492230)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
6,5нКл(1619508)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-8А(1741671)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні QS6J11TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739983
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.75 грн
25+
17.68 грн
72+
13.94 грн
197+
13.22 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-2А
Опір в стані провідності
0,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
6,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g