0 0 0
  7. QS6J1TR

Транзистори багатоканальні QS6J1TR

 
QS6J1TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740010
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.06 грн
25+
16.73 грн
77+
12.98 грн
212+
12.27 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-1,5А(1492280)
Опір в стані провідності
0,43Ом(1758483)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3нКл(1609780)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-6А(1810531)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні QS6J1TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740010
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.06 грн
25+
16.73 грн
77+
12.98 грн
212+
12.27 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-1,5А
Опір в стані провідності
0,43Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
3нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g