0 0 0
  7. QS6K1TR

Транзистори багатоканальні QS6K1TR

 
QS6K1TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739937
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.45 грн
25+
16.77 грн
76+
13.11 грн
207+
12.40 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
1А(1441586)
Опір в стані провідності
364мОм(1950892)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,7нКл(1636487)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
4А(1709876)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні QS6K1TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739937
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.45 грн
25+
16.77 грн
76+
13.11 грн
207+
12.40 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
1А
Опір в стані провідності
364мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g