0 0 0
  7. QS8K11TCR

Транзистори багатоканальні QS8K11TCR

 
QS8K11TCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739925
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.54 грн
25+
21.51 грн
59+
16.89 грн
163+
16.01 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT8(1951149)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
3,5А(1441257)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,5Вт(1487290)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3,3нКл(1629832)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні QS8K11TCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739925
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.54 грн
25+
21.51 грн
59+
16.89 грн
163+
16.01 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
3,5А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
3,3нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g