0 0 0
  8. RAF040P01TCL

Транзистори з каналом P SMD RAF040P01TCL

 
RAF040P01TCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759112
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.14 грн
10+
31.38 грн
20+
27.41 грн
68+
14.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TUMT3(1951151)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-4А(1492238)
Опір в стані провідності
68мОм(1609782)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,8Вт(1507583)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
37нКл(1479234)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
-16А(1742153)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD RAF040P01TCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759112
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.14 грн
10+
31.38 грн
20+
27.41 грн
68+
14.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TUMT3
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-4А
Опір в стані провідності
68мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
37нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g