Транзистори з каналом P SMD RAL035P01TCR

 
RAL035P01TCR
 
Артикул: 759115
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TUMT6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
35.75 грн
10+
27.73 грн
67+
14.78 грн
184+
13.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TUMT6(1951152)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-3,5А(1492400)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
-12А(1801470)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD RAL035P01TCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759115
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TUMT6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
35.75 грн
10+
27.73 грн
67+
14.78 грн
184+
13.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TUMT6
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-3,5А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
22нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g