0 0 0
  8. RE1C002UNTCL

Транзистори з каналом N SMD RE1C002UNTCL

 
RE1C002UNTCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600407
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.96 грн
100+
3.55 грн
360+
2.81 грн
990+
2.65 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 5
Кількість: 3195 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC89(1492549)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,2А(1644064)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,15Вт(1701904)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,4А(1838841)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g
 
Транзистори з каналом N SMD RE1C002UNTCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600407
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.96 грн
100+
3.55 грн
360+
2.81 грн
990+
2.65 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 5
Кількість: 3195 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC89
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,2А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g