0 0 0
  8. RF4E080BNTR

Транзистори з каналом N SMD RF4E080BNTR

 
RF4E080BNTR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686976
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
19.71 грн
64+
15.79 грн
176+
14.93 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2954 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-8S(1939978)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
17,6мОм(1939977)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
14,5нКл(1609913)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g
 
Транзистори з каналом N SMD RF4E080BNTR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686976
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.93 грн
25+
19.71 грн
64+
15.79 грн
176+
14.93 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2954 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-8S
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
17,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
14,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g