Транзистори з каналом N SMD RF4E080GNTR

 
RF4E080GNTR
 
Артикул: 686974
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
34.05 грн
10+
28.35 грн
55+
18.47 грн
151+
17.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2990 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-8S(1939978)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
(1441287)
Опір в стані провідності
17,6мОм(1939977)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
5,8нКл(1712709)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g
 
Транзистори з каналом N SMD RF4E080GNTR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686974
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
34.05 грн
10+
28.35 грн
55+
18.47 грн
151+
17.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2990 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-8S
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
Опір в стані провідності
17,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
5,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g