0 0 0
  8. RF4E100AJTCR

Транзистори з каналом N SMD RF4E100AJTCR

 
RF4E100AJTCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686975
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
42.86 грн
10+
35.42 грн
49+
21.57 грн
133+
20.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2989 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-8S(1939978)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
12,4мОм(1599742)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
36А(1742465)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g
 
Транзистори з каналом N SMD RF4E100AJTCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686975
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
42.86 грн
10+
35.42 грн
49+
21.57 грн
133+
20.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2989 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-8S
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
12,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
36А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g