0 0 0
  8. RGS60TS65DHRC11

Транзистори IGBT THT RGS60TS65DHRC11

 
RGS60TS65DHRC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670942
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 111Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
453.24 грн
4+
324.20 грн
9+
306.68 грн
450+
294.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 428 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
30А(1440984)
Струм колектора в імпульсі
90А(1705293)
Час ввімкнення
46нс(1441691)
Час вимкнення
290нс(1640206)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
111Вт(1741977)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
36нКл(1479151)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,382 g
 
Транзистори IGBT THT RGS60TS65DHRC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670942
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 111Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
453.24 грн
4+
324.20 грн
9+
306.68 грн
450+
294.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 428 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
30А
Струм колектора в імпульсі
90А
Час ввімкнення
46нс
Час вимкнення
290нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
111Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
36нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,382 g